MRFG35003N6AT1

产品属性

属性值

制造商：

恩智浦

产品分类：

射频 JFET 晶体管

RoHS：

E

晶体管类型：

pHEMT

技术：

砷化镓

获得：

10 dB

Vds - 漏源击穿电压：

8 V

Vgs - 栅源击穿电压：

- 5 V

Id - 连续漏极电流：

2.9 A

最高工作温度：

+ 85 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PLD-1.5

打包：

卷轴

配置：

单双源

工作频率：

3.55 GHz

产品：

射频结型场效应管

系列：

MRFG35003N6AT1

类型：

GaAs pHEMT

品牌：

恩智浦/飞思卡尔

湿气敏感：

是的

P1dB - 压缩点：

3 W

产品类别：

射频 JFET 晶体管

出厂包装数量：

1000

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

935309639515

单位重量：

0.009877 oz

Tags

MRFG35003N, MRFG35003, MRFG3500, MRFG, MRF