APTGT200DH60G

产品属性

属性值

制造商：

微芯片

产品分类：

IGBT 模块

RoHS：

Y

产品：

IGBT 硅模块

配置：

双重的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

600 V

集电极-发射极饱和电压：

1.5 V

25 C 时的连续集电极电流：

290 A

栅极-发射极漏电流：

400 nA

Pd - 功耗：

625 W

包装/案例：

SP6

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 100 C

打包：

管子

品牌：

微芯片/Microsemi

安装方式：

底盘安装

最大栅极发射极电压：

20 V

产品类别：

IGBT 模块

出厂包装数量：

1

子类别：

IGBT

单位重量：

3.880136 oz

Tags

APTGT200D, APTGT200, APTGT20, APTGT2, APTGT, APTG, APT