SIHS20N50C-E3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

500 V

Id - 连续漏极电流：

20 A

Rds On - 漏源电阻：

270 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

5 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

65 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

250 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

高度：

20.8 mm

长度：

16.1 mm

宽度：

5.3 mm

品牌：

威世 / Siliconix

秋季时间：

44 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

27 ns

出厂包装数量：

500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

32 ns

典型的开启延迟时间：

80 ns

单位重量：

0.211644 oz

Tags

SIHS, SIH