VS-GB75TP120N

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

IGBT 模块

配置：

半桥

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

1.2 kV

集电极-发射极饱和电压：

1.9 V

25 C 时的连续集电极电流：

150 A

栅极-发射极漏电流：

400 nA

Pd - 功耗：

543 W

包装/案例：

INT-A-PAK

最高工作温度：

+ 150 C

品牌：

威世半导体

安装方式：

底盘安装

最大栅极发射极电压：

20 V

产品类别：

IGBT 模块

出厂包装数量：

24

子类别：

IGBT

Tags

VS-GB75, VS-GB7, VS-GB, VS-G