BUZ73A H

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

200 V

Id - 连续漏极电流：

5.5 A

Rds On - 漏源电阻：

600 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

40 W

配置：

单身的

商品名：

优化MOS

打包：

管子

高度：

15.65 mm

长度：

10 mm

系列：

BUZ73

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

4.4 mm

品牌：

英飞凌科技

秋季时间：

30 nS

产品类别：

MOSFET

上升时间：

40 nS

出厂包装数量：

500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

55 nS

第 # 部分别名：

BUZ73AHXKSA1 SP000683004

单位重量：

0.211644 oz

Tags

BUZ73AH, BUZ73A, BUZ73, BUZ7, BUZ