SSM6N357R,LF

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TSOP-6F

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

650 mA

Rds On - 漏源电阻：

1.8 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.3 V

Vgs - 栅源电压：

12 V

Qg - 门电荷：

1.5 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

SSM6N357R

品牌：

东芝

正向跨导 - 最小值：

500 mS

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

3000 ns

典型的开启延迟时间：

990 ns

单位重量：

0.000564 oz

Tags

SSM6N35, SSM6N3, SSM6N, SSM6, SSM