DMN2013UFDE-7

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

U-DFN2020-E-6

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

10.5 A

Rds On - 漏源电阻：

8.4 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

500 mV

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

25.8 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

660 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

DMN2013

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

二极管公司

秋季时间：

20.8 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

24.5 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

66.4 ns

典型的开启延迟时间：

9.9 ns

单位重量：

0.000238 oz

Tags

DMN201, DMN20, DMN2, DMN