DMN26D0UDJ-7

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-963-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

240 mA

Rds On - 漏源电阻：

3 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

450 mV

Vgs - 栅源电压：

4.5 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

300 mW

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

产品：

MOSFET 栅极驱动器

系列：

DMN26

晶体管类型：

2 N-Channel

类型：

双 N 沟道增强型 MOSFET

品牌：

二极管公司

正向跨导 - 最小值：

180 mS

秋季时间：

15.2 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

7.9 ns

出厂包装数量：

10000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

13.4 ns

典型的开启延迟时间：

3.8 ns

Tags

DMN26D0, DMN26D, DMN26, DMN2, DMN