BSL215CH6327XTSA1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TSOP-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

1.5 A

Rds On - 漏源电阻：

140 mOhms, 150 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

700 mV, 1.2 V

Vgs - 栅源电压：

4.5 V

Qg - 门电荷：

0.73 nC, - 3 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

500 mW (1/2 W)

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.1 mm

长度：

3 mm

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度：

1.5 mm

品牌：

英飞凌科技

秋季时间：

1.4 ns, 14 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

7.6 ns, 9.7 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

6.8 ns, 14.5 ns

典型的开启延迟时间：

4.1 ns, 6.7 ns

第 # 部分别名：

BSL215C H6327 SP001101000

Tags

BSL215CH, BSL215C, BSL215, BSL21, BSL2, BSL