HGT1S12N60A4S9A

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

IGBT晶体管

RoHS：

E

技术：

硅

包装/案例：

TO-263AB-3

安装方式：

贴片/贴片

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

1200 V

集电极-发射极饱和电压：

2.7 V

最大栅极发射极电压：

20 V

25 C 时的连续集电极电流：

35 A

Pd - 功耗：

298 W

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

HGT1S12N60A4S9A

打包：

卷轴

连续集电极电流 Ic 最大值：

54 A

高度：

4.83 mm

长度：

10.67 mm

宽度：

9.65 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

连续集电极电流：

55 A

栅极-发射极漏电流：

+/- 250 nA

产品类别：

IGBT晶体管

出厂包装数量：

800

子类别：

IGBT

单位重量：

0.046296 oz

Tags

HGT1S12N60A, HGT1S12, HGT1S1, HGT1S, HGT1, HGT