ZXMC3F31DN8TA

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SO-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

7.3 A, 5.3 A

Rds On - 漏源电阻：

24 mOhms, 80 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V, 3 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

12.9 nC, 12.7 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.25 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

ZXMC3

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

二极管公司

正向跨导 - 最小值：

16.5 S, 14 S

秋季时间：

8 ns, 21 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

3.3 ns, 3 ns

出厂包装数量：

500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

16 ns, 30 ns

典型的开启延迟时间：

2.9 ns, 1.9 ns

单位重量：

0.002610 oz

Tags

ZXMC3F31DN, ZXMC3F, ZXMC3, ZXMC, ZXM