IPB200N25N3 G

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

250 V

Id - 连续漏极电流：

64 A

Rds On - 漏源电阻：

17.5 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

86 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

300 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

优化MOS

打包：

卷轴

高度：

4.4 mm

长度：

10 mm

系列：

OptiMOS 3

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

OptiMOS 3 Power-Transistor

宽度：

9.25 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

61 S

秋季时间：

12 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

20 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

45 ns

典型的开启延迟时间：

18 ns

第 # 部分别名：

IPB200N25N3GATMA1 IPB2N25N3GXT SP000677896

单位重量：

0.139332 oz

Tags

IPB200N25N3G, IPB200N25N3, IPB200N2, IPB200, IPB20, IPB2, IPB