MMBFJ212

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

射频 JFET 晶体管

RoHS：

T

晶体管类型：

场效应管

技术：

硅

晶体管极性：

N通道

Vgs - 栅源击穿电压：

- 25 V

Id - 连续漏极电流：

40 mA

最大漏栅电压：

25 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

225 mW

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-23

打包：

卷轴

配置：

单身的

工作温度范围：

- 55 C to + 150 C

产品：

射频结型场效应管

类型：

场效应管

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

正向跨导 - 最小值：

0.007 S to 0.012 S

栅源截止电压：

- 6 V

产品类别：

射频 JFET 晶体管

出厂包装数量：

3000

子类别：

晶体管

单位重量：

0.000282 oz

Tags

MMBFJ212, MMBFJ21, MMBFJ2, MMBFJ, MMBF, MMB