SSM6N68NU,LF

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

UDFN-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

4 A

Rds On - 漏源电阻：

84 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

400 mV

Vgs - 栅源电压：

12 V, - 8 V

Qg - 门电荷：

1.8 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

SSM6N68NU

品牌：

东芝

正向跨导 - 最小值：

5.2 S

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

9 ns

典型的开启延迟时间：

26 ns

单位重量：

0.000300 oz

Tags

SSM6N6, SSM6N, SSM6, SSM