NTGD4167CT1G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TSOP-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

2.6 A, 1.9 A

Rds On - 漏源电阻：

90 mOhms, 300 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

500 mV

Vgs - 栅源电压：

4.5 V, - 2.5 V

Qg - 门电荷：

3.7 nC, 3.9 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.1 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.94 mm

长度：

3 mm

产品：

MOSFET 小信号

系列：

NTGD4167C

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度：

1.5 mm

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

2.6 S, 2.6 S

秋季时间：

2 ns, 8 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

4 ns, 8 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

14 ns, 22 ns

典型的开启延迟时间：

7 ns, 8 ns

单位重量：

0.000705 oz

Tags

NTGD4167CT1, NTGD4167CT, NTGD4167C, NTGD4167, NTGD4, NTGD, NTG