PMDPB58UPE,115

产品属性

属性值

制造商：

Nexperia

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DFN-2020-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

4.5 A

Rds On - 漏源电阻：

58 mOhms, 58 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

950 mV

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

9.5 nC, 9.5 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.21 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

2 P-Channel

品牌：

Nexperia

正向跨导 - 最小值：

9 S, 9 S

秋季时间：

14 ns, 14 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

15 ns, 15 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

41 ns, 41 ns

典型的开启延迟时间：

7 ns, 7 ns

Tags

PMDPB58, PMDPB5, PMDPB, PMDP, PMD