MUN5213DW1T3G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

双极晶体管 - 预偏置

RoHS：

Y

晶体管极性：

NPN

典型输入电阻：

47 kOhms

典型电阻比：

1

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-363

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

80

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

50 V

Pd - 功耗：

187 mW, 256 mW

系列：

MUN5213DW1

打包：

卷轴

集电极-基极电压 VCBO：

50 V

直流电流增益 hFE 最大值：

140

高度：

0.95 mm

长度：

2 mm

类型：

双偏置电阻晶体管

宽度：

1.25 mm

品牌：

安森美半导体

产品类别：

BJT - 双极晶体管 - 预偏置

出厂包装数量：

10000

子类别：

晶体管

单位重量：

0.000212 oz

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MUN5213DW1T, MUN5213D, MUN5213, MUN521, MUN52, MUN5, MUN