SGH80N60UFDTU

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

IGBT晶体管

RoHS：

Y

技术：

硅

包装/案例：

TO-3P-3

安装方式：

通孔

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

600 V

集电极-发射极饱和电压：

2.1 V

最大栅极发射极电压：

20 V

25 C 时的连续集电极电流：

80 A

Pd - 功耗：

195 W

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

SGH80N60UFD

打包：

管子

连续集电极电流 Ic 最大值：

80 A

高度：

18.9 mm

长度：

15.8 mm

宽度：

5 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

连续集电极电流：

80 A

栅极-发射极漏电流：

+/- 100 nA

产品类别：

IGBT晶体管

出厂包装数量：

30

子类别：

IGBT

单位重量：

0.225789 oz

Tags

SGH80N60UFD, SGH80N60U, SGH80, SGH8, SGH