CSD19536KCS

产品属性

属性值

制造商：

德州仪器

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

259 A

Rds On - 漏源电阻：

2.7 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.1 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

118 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

375 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

场效应管

打包：

管子

高度：

16.51 mm

长度：

10.67 mm

系列：

CSD19536KCS

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

4.7 mm

品牌：

德州仪器

正向跨导 - 最小值：

307 S

秋季时间：

5 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

8 ns

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

38 ns

典型的开启延迟时间：

14 ns

单位重量：

0.211644 oz

Tags

CSD19536K, CSD19536, CSD1953, CSD19, CSD1, CSD