FDS8958A-F085

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SO-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

7 A, 5 A

Rds On - 漏源电阻：

28 mOhms, 52 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

双重的

资质：

AEC-Q101

商品名：

动力战壕

打包：

卷轴

高度：

1.75 mm

长度：

4.9 mm

系列：

FDS8958A_F085

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度：

3.9 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

正向跨导 - 最小值：

25 S, 10 S

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

第 # 部分别名：

FDS8958A_F085

单位重量：

0.008127 oz

Tags

FDS8958A-F, FDS8958A, FDS8958, FDS895, FDS89, FDS8, FDS