RHK003N06T146

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-346-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

300 mA

Rds On - 漏源电阻：

1 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

3 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

200 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.1 mm

长度：

2.9 mm

产品：

MOSFET 小信号

系列：

RHK003N06

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

MOSFET

宽度：

1.6 mm

品牌：

罗姆半导体

秋季时间：

80 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

5 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

13 ns

典型的开启延迟时间：

6 ns

第 # 部分别名：

RHK003N06

单位重量：

0.000423 oz

Tags

RHK003N06T, RHK003N06, RHK003, RHK0, RHK