NTNS3190NZT5G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

XLLGA-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

224 mA

Rds On - 漏源电阻：

650 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

400 mV

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

700 pC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

139 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

560 mS

开发套件：

-

秋季时间：

110 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

35 ns

出厂包装数量：

8000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

201 ns

典型的开启延迟时间：

18 ns

Tags

NTNS319, NTNS31, NTNS3, NTNS, NTN