IRF6623

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

N

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

直接场效应晶体管

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

16 A

Rds On - 漏源电阻：

5.7 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

11 nC

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

42 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

高度：

0.7 mm

长度：

4.85 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

HEXFET 功率 MOSFET

宽度：

3.95 mm

品牌：

英飞凌/红外

秋季时间：

4.5 ns

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

上升时间：

40 ns

出厂包装数量：

4800

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

12 ns

典型的开启延迟时间：

9.7 ns

第 # 部分别名：

SP001526828

Tags

IRF6623, IRF662, IRF66, IRF6, IRF