IXTQ32P20T

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-3P-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

200 V

Id - 连续漏极电流：

32 A

Rds On - 漏源电阻：

130 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

15 V

Qg - 门电荷：

185 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

300 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

晶体管类型：

1 P-Channel

品牌：

IXYS

秋季时间：

12 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

15 ns

出厂包装数量：

30

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

57 ns

典型的开启延迟时间：

32 ns

Tags

IXTQ3, IXTQ, IXT