FCD600N60Z

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

650 V

Id - 连续漏极电流：

7.4 A

Rds On - 漏源电阻：

600 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3.5 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

20 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

89 W

配置：

单身的

商品名：

超级场效应晶体管 II

打包：

卷轴

高度：

2.39 mm

长度：

6.73 mm

产品：

MOSFET

系列：

FCD600N60Z

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

6.22 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

正向跨导 - 最小值：

6.7 S

秋季时间：

8 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

7 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

39 ns

典型的开启延迟时间：

13 ns

单位重量：

0.009184 oz

Tags

FCD600N60, FCD600N, FCD60, FCD6, FCD