NSV2SC5658M3T5G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-723-3

晶体管极性：

NPN

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

50 V

集电极-基极电压 VCBO：

5 V

发射极基极电压 VEBO：

7 V

集电极-发射极饱和电压：

400 mV

最大直流集电极电流：

150 mA

增益带宽积 fT：

180 MHz

最高工作温度：

+ 150 C

直流电流增益 hFE 最大值：

560 at 1 mA, 6 VDC

打包：

卷轴

品牌：

安森美半导体

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

120

Pd - 功耗：

260 mW

产品类别：

BJT - 双极晶体管

资质：

AEC-Q101

出厂包装数量：

8000

子类别：

晶体管

单位重量：

0.000045 oz

Tags

NSV2, NSV