IRF9389TRPBF

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SO-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

6.8 A, 4.6 A

Rds On - 漏源电阻：

22 mOhms, 51 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.3 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

6.8 nC, 8.1 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

双重的

商品名：

六边形场效应管

打包：

卷轴

高度：

1.75 mm

长度：

4.9 mm

系列：

IRF939

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度：

3.9 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

8.2 S, 4.1 S

秋季时间：

3.9 ns, 15 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

4.8 ns, 14 ns

出厂包装数量：

4000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

4.9 ns, 17 ns

典型的开启延迟时间：

5.1 ns, 8 ns

第 # 部分别名：

SP001551666

单位重量：

0.017870 oz

Tags

IRF938, IRF93, IRF9, IRF