PSMN8R5-60YS,115

产品属性

属性值

制造商：

Nexperia

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

LFPAK56-5

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

76 A

Rds On - 漏源电阻：

12.8 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4.6 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

39 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

106 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.1 mm

长度：

5 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

N-Channel LFPAK 60 V 8 mOhms Standard Level MOSFET

宽度：

4.1 mm

品牌：

Nexperia

秋季时间：

9.2 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

13.7 ns

出厂包装数量：

1500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

32.4 ns

典型的开启延迟时间：

18.4 ns

Tags

PSMN8R5-6, PSMN8R5, PSMN8, PSMN, PSM