MCH6661-TL-W

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-363-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

1.8 A

Rds On - 漏源电阻：

188 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.6 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

2 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

800 mW

配置：

双重的

打包：

卷轴

系列：

MCH6661

晶体管类型：

2 N-Channel

品牌：

安森美半导体

秋季时间：

4 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

3.6 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

10.5 ns

典型的开启延迟时间：

3.4 ns

单位重量：

0.000265 oz

Tags

MCH666, MCH66, MCH6, MCH