IXFQ28N60P3

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-3P-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

28 A

Rds On - 漏源电阻：

260 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

5 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

50 nC

Pd - 功耗：

695 W

配置：

单身的

商品名：

高功率场效应晶体管

打包：

管子

系列：

IXFQ28N60

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

IXYS

正向跨导 - 最小值：

30 S, 18 S

秋季时间：

19 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

18 ns

出厂包装数量：

30

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.056438 oz

Tags

IXFQ2, IXFQ, IXF