IXFN420N10T

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

底盘安装

包装/案例：

SOT-227-4

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

420 A

Rds On - 漏源电阻：

2.3 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.5 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

670 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

1070 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

高功率场效应晶体管

打包：

管子

产品：

GigaMOS HiPerFET

系列：

IXFN420N10

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

GigaMos 沟槽 HiperFet 功率 MOSFET

品牌：

IXYS

正向跨导 - 最小值：

110 S

秋季时间：

255 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

155 ns

出厂包装数量：

10

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

115 ns

典型的开启延迟时间：

47 ns

单位重量：

1.058219 oz

Tags

IXFN4, IXFN, IXF