SI6562CDQ-T1-GE3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

E

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TSSOP-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

6.7 A, 6.1 A

Rds On - 漏源电阻：

22 mOhms, 30 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

600 mV

Vgs - 栅源电压：

4.5 V

Qg - 门电荷：

15 nC, 34 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.6 W, 1.7 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

商品名：

沟槽场效应晶体管

打包：

卷轴

系列：

SI6

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨导 - 最小值：

17 S, 22 S

秋季时间：

10 ns, 15 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

10 ns, 25 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

25 ns, 45 ns

典型的开启延迟时间：

12 ns, 30 ns

第 # 部分别名：

SI6562CDQ-GE3

单位重量：

0.005573 oz

Tags

SI6562CDQ-T, SI6562CDQ, SI6562C, SI656, SI65, SI6