FCH041N65EFLN4

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247-4

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

650 V

Id - 连续漏极电流：

76 A

Rds On - 漏源电阻：

41 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

229 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

595 W

配置：

单双源

频道模式：

增强

商品名：

超级场效应晶体管 II

打包：

管子

系列：

超级场效应晶体管 II

晶体管类型：

1 N-Channel SUPERFET II Power MOSFET

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

71.7 S

秋季时间：

18 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

25 ns

出厂包装数量：

450

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

169 ns

典型的开启延迟时间：

55 ns

Tags

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