NTB6412ANT4G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-3

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

41 A

Rds On - 漏源电阻：

18.2 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

100 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

167 W

打包：

卷轴

系列：

NTB6412AN

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

31 S

秋季时间：

126 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

140 ns

出厂包装数量：

800

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

70 ns

典型的开启延迟时间：

16 ns

单位重量：

0.139332 oz

Tags

NTB6412, NTB641, NTB64, NTB6, NTB