BSS123LT7G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-23-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

170 mA

Rds On - 漏源电阻：

6 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.6 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

225 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 N-Channel Power MOSFET

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

80 mMhos

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

40 ns

典型的开启延迟时间：

20 ns

Tags

BSS123LT, BSS123L, BSS123, BSS12, BSS1, BSS