RS1E280BNTB

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

HSOP-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

80 A

Rds On - 漏源电阻：

1.7 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.5 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

94 nC

Pd - 功耗：

30 W

配置：

单身的

打包：

卷轴

高度：

0.9 mm

长度：

3.2 mm

晶体管类型：

1 N-channel

宽度：

3 mm

品牌：

罗姆半导体

秋季时间：

28 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

100 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

160 ns

典型的开启延迟时间：

31 ns

第 # 部分别名：

RS1E280BN

Tags

RS1E280B, RS1E280, RS1E28, RS1E2, RS1E, RS1