BSM080D12P2C008

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

分立半导体模块

RoHS：

Y

产品：

功率半导体模块

类型：

碳化硅功率MOSFET

Vgs - 栅源电压：

- 6 V, 22 V

安装方式：

螺丝安装

包装/案例：

模块

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 175 C

系列：

BSMx

打包：

托盘

配置：

半桥

品牌：

罗姆半导体

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

典型延迟时间：

20 ns

秋季时间：

40 ns

Id - 连续漏极电流：

80 A

Pd - 功耗：

600 W

产品类别：

分立半导体模块

上升时间：

30 ns

出厂包装数量：

12

子类别：

分立半导体模块

典型关断延迟时间：

80 ns

典型的开启延迟时间：

20 ns

Vds - 漏源击穿电压：

1200 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.6 V

第 # 部分别名：

BSM080D12P2C008

Tags

BSM0, BSM