RJ1U330AAFRGTL

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

D2PAK-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

250 V

Id - 连续漏极电流：

16.5 A

Rds On - 漏源电阻：

77 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

80 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

211 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

罗姆半导体

秋季时间：

140 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

200 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

120 ns

典型的开启延迟时间：

50 ns

第 # 部分别名：

RJ1U330AAFRG

Tags

RJ1U330AAF, RJ1U, RJ1