RRH100P03GZETB

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOP-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

10 A

Rds On - 漏源电阻：

9 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.5 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

39 nC

Pd - 功耗：

2 W

配置：

单身的

打包：

卷轴

高度：

1.75 mm

长度：

5 mm

晶体管类型：

1 P-Channel

宽度：

3.9 mm

品牌：

罗姆半导体

秋季时间：

100 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

60 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

150 ns

典型的开启延迟时间：

25 ns

第 # 部分别名：

RRH100P03

单位重量：

0.030018 oz

Tags

RRH100P, RRH100, RRH10, RRH1, RRH