IXTN32P60P

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

底盘安装

包装/案例：

SOT-227-4

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

32 A

Rds On - 漏源电阻：

350 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4 V

Qg - 门电荷：

196 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

890 W

打包：

管子

产品：

功率MOSFET

系列：

IXTN32P60

品牌：

IXYS

正向跨导 - 最小值：

32 S / 21 S

秋季时间：

33 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

27 ns

出厂包装数量：

10

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

95 ns

典型的开启延迟时间：

37 ns

单位重量：

1.058219 oz

Tags

IXTN3, IXTN, IXT