FDW2521C

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TSSOP-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

5.5 A, 3.8 A

Rds On - 漏源电阻：

21 mOhms

Vgs - 栅源电压：

12 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1 mm

长度：

4.4 mm

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

类型：

MOSFET

宽度：

3 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

正向跨导 - 最小值：

26 S, 13.2 S

秋季时间：

8 ns, 34 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

8 ns, 18 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

24 ns, 34 ns

典型的开启延迟时间：

8 ns, 11 ns

第 # 部分别名：

FDW2521C_NL

单位重量：

0.000705 oz

Tags

FDW2521, FDW252, FDW25, FDW2, FDW