IRFH8337TRPBF

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PQFN-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

16.2 A

Rds On - 漏源电阻：

19.9 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.8 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

10 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

3.2 W

配置：

单身的

打包：

卷轴

高度：

0.83 mm

长度：

6 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

5 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

31 S

秋季时间：

4.1 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

12 ns

出厂包装数量：

4000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

5.7 ns

典型的开启延迟时间：

6.4 ns

第 # 部分别名：

SP001560430

Tags

IRFH8337TRP, IRFH8337, IRFH833, IRFH83, IRFH8, IRFH, IRF