CGHV35060MP

产品属性

属性值

制造商：

克里公司

产品分类：

射频 JFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管类型：

HEMT

技术：

氮化镓

获得：

14.5 dB

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

150 V

Vgs - 栅源击穿电压：

- 10 V, 2 V

Id - 连续漏极电流：

10.4 A

输出功率：

75 W

最大漏栅电压：

50 V

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 107 C

Pd - 功耗：

52 W

安装方式：

贴片/贴片

打包：

卷轴

应用：

S 波段雷达和 LTE 基站

配置：

单身的

工作频率：

3.5 GHz

工作温度范围：

- 40 C to + 107 C

品牌：

Wolfspeed / 克里

产品类别：

射频 JFET 晶体管

出厂包装数量：

250

子类别：

晶体管

Vgs th - 栅源阈值电压：

- 3 V

Tags

CGHV35, CGHV3, CGHV, CGH