SSM6J503NU,LF

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

UDFN6B-6

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

6 A

Rds On - 漏源电阻：

89.6 mOhms

Vgs - 栅源电压：

8 V

Pd - 功耗：

1 W

配置：

单身的

打包：

卷轴

高度：

0.75 mm

长度：

2 mm

系列：

SSM6J503

晶体管类型：

1 P-Channel

宽度：

2 mm

品牌：

东芝

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

Tags

SSM6J503, SSM6J50, SSM6J5, SSM6J, SSM6, SSM