IXFN26N120P

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

底盘安装

包装/案例：

SOT-227-4

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

1.2 kV

Id - 连续漏极电流：

23 A

Rds On - 漏源电阻：

460 mOhms

Vgs - 栅源电压：

30 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

695 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

高功率场效应晶体管

打包：

管子

高度：

9.6 mm

长度：

38.23 mm

系列：

IXFN26N120

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

25.42 mm

品牌：

IXYS

秋季时间：

58 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

55 ns

出厂包装数量：

10

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

76 ns

典型的开启延迟时间：

56 ns

单位重量：

1.058219 oz

Tags

IXFN26N, IXFN26, IXFN2, IXFN, IXF