IXTH3N120

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

1.2 kV

Id - 连续漏极电流：

3 A

Rds On - 漏源电阻：

4.5 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4.5 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

39 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

150 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

高度：

21.46 mm

长度：

16.26 mm

系列：

IXTH3N120

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

高压功率MOSFET

宽度：

5.3 mm

品牌：

IXYS

正向跨导 - 最小值：

1.5 S

秋季时间：

18 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

15 ns

出厂包装数量：

30

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

32 ns

典型的开启延迟时间：

17 ns

单位重量：

0.229281 oz

Tags

IXTH3N1, IXTH3N, IXTH3, IXTH, IXT