NVMFS5830NLT1G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SO-FL-8

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

40 V

Id - 连续漏极电流：

185 A

Rds On - 漏源电阻：

2.3 mOhms

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

系列：

NVMFS5830NL

品牌：

安森美半导体

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

1500

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.003781 oz

Tags

NVMFS5830, NVMFS583, NVMFS58, NVMFS5, NVMFS, NVMF, NVM