BLV32F

产品属性

属性值

制造商：

先进半导体公司

产品分类：

射频双极晶体管

RoHS：

Y

晶体管类型：

双极电源

技术：

硅

晶体管极性：

NPN

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

20

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

32 V

发射极基极电压 VEBO：

4 V

连续集电极电流：

4 A

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 200 C

安装方式：

螺丝安装

包装/案例：

316-01

打包：

托盘

工作频率：

224 MHz

类型：

射频双极电源

品牌：

先进半导体公司

Pd - 功耗：

82 W

产品类别：

射频双极晶体管

子类别：

晶体管

Tags

BLV3, BLV