CMLDM8120G TR

产品属性

属性值

制造商：

中央半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-563

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

860 mA

Rds On - 漏源电阻：

240 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

760 mV

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

3.56 nC

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

350 mW

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

CMLDM8

品牌：

中央半导体

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

第 # 部分别名：

CMLDM8120G PBFREE TR

单位重量：

0.000106 oz

Tags

CMLDM8120GT, CMLDM8120G, CMLDM81, CMLDM8, CMLDM, CMLD, CML