MRFE6VP6300HSR3

产品属性

属性值

制造商：

恩智浦

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Vds - 漏源击穿电压：

130 V

获得：

26.6 dB

输出功率：

300 W

最低工作温度：

- 30 C

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

NI-780S-4

打包：

卷轴

配置：

单身的

工作频率：

1.8 MHz to 600 MHz

系列：

MRFE6VP6300

类型：

射频功率MOSFET

品牌：

恩智浦/飞思卡尔

Pd - 功耗：

1.05 kW

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

250

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

10 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.2 V

单位重量：

0.161213 oz

Tags

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